ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี BTS244Z E3062A
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Infineon Technologies - BTS244Z E3062A คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Infineon Technologies - BTS244Z E3062A
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Infineon Technologies | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2V @ 130µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PG-TO220-5-62 | |
ชุด | TEMPFET® | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 13mOhm @ 19A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 170W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 2660 pF @ 25 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 130 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | Temperature Sensing Diode | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 55 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 35A (Tc) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Infineon Technologies BTS244Z E3062A
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | BTS244Z E3062A | BTS244ZE3043 | BTS244Z E3043 | BTS240AHKSA1 |
ผู้ผลิต | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 13mOhm @ 19A, 10V | 13mOhm @ 19A, 10V | 13mOhm @ 19A, 10V | 18mOhm @ 47A, 10V |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | PG-TO220-5-62 | TO-220-5 | P-TO220-5-43 | PG-TO218-3-1 |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 55 V | 55 V | 55 V | 50 V |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 130 nC @ 10 V | 130 nC @ 10 V | 130 nC @ 10 V | - |
ชุด | TEMPFET® | * | TEMPFET® | Automotive, AEC-Q101 |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 35A (Tc) | 35A (Tc) | 35A (Tc) | 58A (Tc) |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 2V @ 130µA | 2V @ 130µA | 2V @ 130µA | 3.5V @ 1mA |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 170W (Tc) | 170W (Tc) | 170W (Tc) | 170W |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
คุณสมบัติ FET | Temperature Sensing Diode | - | Temperature Sensing Diode | - |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tube | Bulk |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 2660 pF @ 25 V | 2660 pF @ 25 V | 2660 pF @ 25 V | 4300 pF @ 25 V |
อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 175°C (TJ) | -40°C ~ 175°C (TJ) | -40°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 10V |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB | TO-220-5 | TO-220-5 | TO-218-3 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล BTS244Z E3062A PDF และเอกสาร Infineon Technologies สำหรับ BTS244Z E3062A - Infineon Technologies
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที